2021-07-05 09:58:25 由 yihong 发表
锗电阻温度传感器是公认的二级标准温度计,在0.05K到30K的范围内的测量已经被使用了将近40年。
锗电阻传感器在2个数量的温度范围内是很有用的。确切的范围取决于锗元素的掺杂。低温的范围是在0.05K到100K之间。在100K和300K之间,dR/dT变化符号改变,并且100K以上所有型号的dR/dT变化都很小。传感器的电阻变化从它有用的温度的上限的几欧姆到温度下限的几十千欧姆。
传感器的灵敏度随着温度的降低迅速的降低,在较低的温度下分辨率很高,这些特性使得传感器在4.2K的温度下进行亚毫K的控制非常有用。
传感器的稳定性极好,4.2K时的重复性是±0.5mk。在进行低于30K时的高精度温度测量时,锗电阻器通常是最佳选择。不建议在磁场环境下使用。
封装选择
AA,CD
技术规格
标准曲线:不可用
推荐激励电流1:20μV(0.05K-0.1K),63μV(0.1K-1K),10mV或更小(温度大于1K)。
推荐激励电流的损耗:1E-13W在0.05K,1E-7W在4.2K(取决于型号和温度)
热响应时间:200ms在4.2K,3s在77K
辐射应用:推荐用于致电离辐射环境
磁场应用:由于强大的磁场电阻和相关方向影响,锗传感器在磁场的应用非常有限
温度低于1K锗传感器的正确选择
锗电阻温度计通常按他们的4.2K时的电阻值分类。然而,对于用测量低于1K温度的传感器,能否适用于1K以下的温度与4.2K的电阻之间时没有紧密关系的。Lakeshore低电阻锗传感器(GR-50-AA和GR-300-AA)是根据他们允许最低使用的最低温度来分类,而不是根据4.2K时的阻值来分类。
这些器件的电阻和温度的关系在所有锗传感器中是具有代表性的。当温度更低时,电阻和灵敏度成对数增加。最低的使用温度通常被迅速增加的电阻所限制,同时就会碰到测量高电阻值的困难。
下面这些推荐是这些传感器最适宜的测温范围:
GR-50-AA 0.05K-1.0K
GR-300-AA 0.3K-100K
在温度较低的时候,温度分辨率有所增加。
通常会建议你不要采购比要求的具有更低温度范围的传感器,因为在较高温度时,会牺牲一些灵敏度(dR/dT)。比如:GR-300-AA在1K时的灵敏度比GR-50-AA在1K的灵敏度要更好。