2023-03-15 09:09:04 由 yihong 发表
范德华 (vdW)异质结构为研究人员提供了前所未有的机会，可以通过二维 (2D) 材料的原子级分层来定制设备架构并获得新的物理特性。这些所谓的范德瓦尔斯材料（例如石墨烯、六方氮化硼和二硫化钼）的特点是层间键强且层内 (vdW) 力弱。通过结合这些材料，科学家们“预计会观察到传统散装材料无法实现的新型晶格结构和电子特性。” 在过去的几年里，我们从已发表的论文中观察到 Lake Shore 产品如何为此类工作提供帮助，主要用于表征工程异质结构的传输机制。
我们的真空探针台将低电流泄漏与环境控制相结合，为此类二维材料研究提供了明显的优势。由于许多 vdW 材料在空气中化学性质不稳定，因此必须在真空环境中对这些研究级设备进行电子表征。此外，这些站点可用于研究不同真空压力下的某些多层器件，从而深入了解吸收的氧气和水对电荷传输特性的影响。
最近详细介绍此类二维异质结构研究的论文包括：
来自中国国家纳米科学技术中心和中国科学院大学的研究人员正在开发具有更多光响应特性的半垂直场效应晶体管 (SVFET) 。为此，他们制造了二碲化钼 (MoTe 2 )/二硫化钼 (MoS 2 ) 晶体管，其中“横向 MoTe 2部分充当通道，电极下方的 vdW 形成垂直传输路径。” 对于器件表征，电传输测量是在真空下的 Lake Shore TTPX 探针台中进行的。
清华大学和北京工业大学的研究人员制造了碳纳米管/二硒化钨 (WSe 2 )/石墨烯异质结构，有望用作高性能光电探测器。在此应用中，一维碳纳米管被添加到一堆二维材料中，我们的 CRX-4K 探针台用于混合维 vdW 异质结构的真空电气测量。
来自俄罗斯和奥地利的一组研究人员制造了二硫化钼 (MoS2)/外延萤石 ( CaF2 ) FET ，作为开发与二维技术兼容的高质量栅极绝缘体工作的一部分。他们将 2D 异质结构的堆叠特性扩展到 CaF 2层，与 MoS 2半导体形成“准”vdW 界面，并在此过程中实现了“为下一代 2D 纳米电子学实现超尺度介电层的突破。 ” 对于这项研究，使用湖岸探针台在～5×10 -6托真空和完全黑暗中测量样本。
在另一篇与MoS 2相关的论文中，由纽约大学和哥伦比亚大学的研究人员领导的团队报告了在 2D 材料上制造具有高再现性的金属触点。该团队专门制造了 MoS 2 FET，发现“即使在低温下也能获得线性 IV 曲线、创纪录的低肖特基势垒高度 (~0 mV)、创纪录的高开/关比 (10 9 – 10 10 ) 和极低的亚阈值 摆幅( 64 mV 每十年）。为了表征剥离样品，他们在真空下使用 10 -5托的Lake Shore 探针台。
除了探针台，我们还提供用于表征包含磁性材料和纳米粒子的 vdW 结构的高灵敏度VSM，以及新的MeasureReady™ M91 FastHall™ 测量控制器，它可以加速二维半导体材料的霍尔迁移率测量，无论是单独使用还是使用与配备电磁或超导磁体的探针台结合使用。
