2022-02-17 11:42:34 由 yihong 发表
Cernox ®薄膜电阻低温温度传感器与可比的体或厚膜电阻传感器相比具有显着优势。这些薄膜传感器的较小封装尺寸使其可用于更广泛的实验安装方案，并且它们也可以芯片形式提供。它们很容易安装在专为出色传热而设计的封装中，产生的特征热响应时间比需要无应变安装的大容量器件快得多。此外，它们已被证明在重复的热循环和长时间暴露于电离辐射下非常稳定。
Cernox® 特点
低磁场感应误差
温度范围为 100 mK 至 420 K（取决于型号）
低温下的高灵敏度和宽范围内的良好灵敏度
优异的抗电离辐射性
具有快速特性热响应时间的裸芯片低温温度传感器：4.2 K 时为 1.5 ms，77 K 时为 50 ms
多种型号可供选择，可满足您的测温需求
出色的稳定性
提供非磁性封装选项（AA、BC、BG、BR）
多种包装选择
CX-1010 – 锗 RTD 的理想替代品
CX-1010 是第一款设计用于低至 100 mK 的 Cernox®，使其成为锗 RTD的理想替代品。与锗不同，所有 Cernox 型号都具有能够用于室温的额外优势。此外，Cernox 提供极其坚固的 Lake Shore SD 封装，为研究人员在传感器安装方面提供了更大的灵活性。
典型的 Cernox ®电阻
典型的 Cernox ®灵敏度
典型的 Cernox ®无量纲灵敏度
