磁化强度的异常霍尔效应磁力测量学研究薄膜的过程

      反常霍尔效应(AHE)已经被认为是一个有用的工具来测量磁滞垂直磁记录介质(PMRM)，并显示特定的效用描述双层PMRM自循环记录层(RL)和软层(SUL)可以同时测量，使用传统磁力计不易完成的任务，因为难以提取RL和SUL的属性。

      反常霍尔效应(AHE)被认为是测量垂直磁记录介质(PMRM)的磁滞M(H）环路的有用工具，并且显示了描述双层PMRM的特殊效用，因为可以同时测量记录层(RL)和软下层(SUL)的环路，因此使用常规磁力计难以单独提取RL和SUL的特性。我们利用振动样品磁强计(VSM)和Co：Cr样品的AHE磁强计对磁性能（磁滞回路和汉高图）进行了系统的研究，试图将结果联系起来并进一步发展AHE技术。

      方法

      为了充分研究磁性能、过程和相互作用的细节，需要磁性测量以外的磁滞回路测量，如直流退磁(DCD)、等温剩余磁化(IRM)、汉高图、居里点测量、小磁滞回路和磁粘度。我们使用振动样品磁力计(VSM)和AHE磁力计测量了Co：Cr薄膜样品的主要和次要磁滞回路和汉高图。为了从低电导率样品中获得最大的灵敏度，采用了交流电流方法。这种技术也消除了由热电磁场电压引起的误差。为了消除霍尔测量中的残余电阻电压，使用了半导体上传统霍尔效应测量中常用的几何平均技术。在半导体的霍尔效应测量中，场反转常用于消除电阻效应[3]。

      当一个完整测量了滞回线，给出了数据和方程的修正形式。在必须使用反转。来自正场的霍尔电压在每种情况下，线的斜率都非常接近于-2。在下降曲线上用霍尔电压取平均值在上升曲线上的负场上。这种方法

然而，不适合测量绕过磁滞回线的一部分，如DCD和IRM，因此，替代方法是必须的几何平均，通过测量大厅电压在两个不同的方向上，可以用来去除残余电阻值[3]。

      结果

      图1显示了主要滞后和次要滞后的结果记录了一个Co：Cr薄膜样品的循环测量使用VSM和AHE磁强计。数据是归一化为1。在AHE测量的情况下样品采用范德波沃配置进行测量。

图1Cr的汉高图：在VSM和AHE上采集的Co样品。数据被标准化为1。

      在每个场，霍尔电压通过两个对角线测量并平均。这就消除了测量值中的剩余电阻。没有使用场反转平均。这两种测量方法之间的一致性很好。小循环中的细节可以在这两种方法中看到。这表明，几何平均可以用来代替AHE磁强计中的场平均。

      此外，还使用VSM和AHE进行了DCD和IRM测量。在这些实验中，只穿过部分迟滞环。再次使用几何平均来去除AHE磁强计的剩余电阻率。图2显示了IRM和DCD数据的汉高图。数据再次被标准化为1。在每一种情况下，都是最适合的。

图2Cr：Co样品的小回路。VSM数据和AHE数据均显示出来。这些数据已被标准化为1。

      讨论

      异常霍尔效应磁测法可用于研究薄膜材料的磁化过程。AHE磁测法可以用于使用磁滞环以外的测量方法来研究磁过程，其结果与使用传统磁测法方法得到的结果(i。e.,vsm)。