2022-05-06 09:03:54 由 yihong 发表
反常霍尔效应(AHE)已经被认为是一个有用的工具来测量磁滞垂直磁记录介质(PMRM),并显示特定的效用描述双层PMRM自循环记录层(RL)和软层(SUL)可以同时测量,使用传统磁力计不易完成的任务,因为难以提取RL和SUL的属性。
反常霍尔效应(AHE)被认为是测量垂直磁记录介质(PMRM)的磁滞M(H)环路的有用工具,并且显示了描述双层PMRM的特殊效用,因为可以同时测量记录层(RL)和软下层(SUL)的环路,因此使用常规磁力计难以单独提取RL和SUL的特性。我们利用振动样品磁强计(VSM)和Co:Cr样品的AHE磁强计对磁性能(磁滞回路和汉高图)进行了系统的研究,试图将结果联系起来并进一步发展AHE技术。
方法
为了充分研究磁性能、过程和相互作用的细节,需要磁性测量以外的磁滞回路测量,如直流退磁(DCD)、等温剩余磁化(IRM)、汉高图、居里点测量、小磁滞回路和磁粘度。我们使用振动样品磁力计(VSM)和AHE磁力计测量了Co:Cr薄膜样品的主要和次要磁滞回路和汉高图。为了从低电导率样品中获得最大的灵敏度,采用了交流电流方法。这种技术也消除了由热电磁场电压引起的误差。为了消除霍尔测量中的残余电阻电压,使用了半导体上传统霍尔效应测量中常用的几何平均技术。在半导体的霍尔效应测量中,场反转常用于消除电阻效应[3]。
当一个完整测量了滞回线,给出了数据和方程的修正形式。在必须使用反转。来自正场的霍尔电压在每种情况下,线的斜率都非常接近于-2。在下降曲线上用霍尔电压取平均值在上升曲线上的负场上。这种方法
然而,不适合测量绕过磁滞回线的一部分,如DCD和IRM,因此,替代方法是必须的几何平均,通过测量大厅电压在两个不同的方向上,可以用来去除残余电阻值[3]。
结果
图1显示了主要滞后和次要滞后的结果记录了一个Co:Cr薄膜样品的循环测量使用VSM和AHE磁强计。数据是归一化为1。在AHE测量的情况下样品采用范德波沃配置进行测量。
图1Cr的汉高图:在VSM和AHE上采集的Co样品。数据被标准化为1。
在每个场,霍尔电压通过两个对角线测量并平均。这就消除了测量值中的剩余电阻。没有使用场反转平均。这两种测量方法之间的一致性很好。小循环中的细节可以在这两种方法中看到。这表明,几何平均可以用来代替AHE磁强计中的场平均。
此外,还使用VSM和AHE进行了DCD和IRM测量。在这些实验中,只穿过部分迟滞环。再次使用几何平均来去除AHE磁强计的剩余电阻率。图2显示了IRM和DCD数据的汉高图。数据再次被标准化为1。在每一种情况下,都是最适合的。
图2Cr:Co样品的小回路。VSM数据和AHE数据均显示出来。这些数据已被标准化为1。
讨论
异常霍尔效应磁测法可用于研究薄膜材料的磁化过程。AHE磁测法可以用于使用磁滞环以外的测量方法来研究磁过程,其结果与使用传统磁测法方法得到的结果(i。e.,vsm)。
上一条:高斯计暴露于外部磁场中