2021-07-01 09:57:55 由 yihong 发表
TG120镓铝砷（GaAlAs）二极管低温传感器尤其适合用于中低磁场下的低温测量应用。镓铝砷二极管传感器在低温时有很高的灵敏度（dV/dT）。
镓铝砷二极管传感器电压-温度特性在传感器的使用温度范围1.4K-500K是单调变化的。
GaAlAs二极管是直接带隙，单节器件，在磁场中，产生很小的输出变化。因此这种传感器比较适合应用于最大到5T的中低磁场环境下测量低温。
包装选件：
P，PL，SD，CO，CU
TG-120-SD特点
从1.4K-500K单调温度响应
当温度低于50K时极好的灵敏度（dV/dT）
磁场感应误差小
TG-120-P特点
温度范围：1.4K-325K
4.2K时的重复性：±10mK
TG-120-PL特点
温度范围：1.4K-325K
质量轻，热响应快
镓铝砷二极管传感器技术参数
标准曲线：不可用
推荐激励电流：10uA±0.1%
最大反向电压（二极管）：2V
最大正向电流（二极管）：500mA
推荐激励电流的损耗：最大50uW@4.2K，14uW@77K，10uW@300K
热响应时间：P和PL：100ms在4.2K，250ms在77K，3s在305KSD：<10ms在4.2K
辐射应用：推荐仅用于低水平辐射
磁场应用：在60K以上5T以下
重复性：4.2K时±mK
