2023-04-03 09:08:21 由 yihong 发表
TG120镓铝砷（GaAlAs）二极管 低温传感器尤其适合用于中低磁场下的 低温测量应用。GaAlAs传感器在低温 时有很高的灵敏度（dV/dT）。 GaAlAs传感器电压-温度特性在传感器 的使用温度范围1.4K-500K是单调变化 的。
GaAlAs二极管是直接带隙，单节 器件，在磁场中，产生很小的输出变 化。因此这种传感器比较适合应用于最 大到5T的中低磁场环境下测量低温。
TG-120-SD特点
从1.4K-500K单调温度响应
当温度低于50K时极好的灵敏度（dV/dT）
磁场感应误差小
结实、性能可靠的SD包装，适应反复的热循环，减少了传感器的自热效应
多种封装方式选择
TG-120-P特点
温度范围：1.4K-325K
4.2K时的重复性：±10mK
TG-120-PL特点
温度范围：1.4K-325K
质量轻，热响应快
典型的镓铝砷温度传感器灵敏度
典型的镓铝砷温度传感器电压
镓铝砷技术参数
标准曲线：不可用
推荐激励电流：10uA±0.1%
最大反向电压(二极管): 2V
最大正向电流（二极管）：500mA
推荐激励电流的损耗：最大50uW
@4.2K，14uW @77K，10uW@300K
热响应时间：P和 PL：100ms在4.2K，250ms在77K，3s在305KSD：﹤10ms在4.2K
辐射应用：推荐仅用于低水平辐射—参
磁场应用：在60K以上5T以下
重复性1：4.2K时±10mK
物理参数
使用范围
校准精度
温度响应
磁场和温度误差5ΔT/T （%）随B的变化
