2021-09-07 09:14:17 由 yihong 发表
硅二极管温度传感器
在业内任何硅二极管的最宽有用温度范围(1.4 K 至 500 K)内均具有最佳精度
迄今为止任何硅二极管的 30 K 至 500 K 应用的最严格公差
坚固、可靠的 Lake Shore SD 封装, 旨在承受重复的热循环并最大限度地减少传感器自热
符合标准曲线 DT-670 温度响应曲线
多种包装选择
DT-670E-BR 特点
温度范围:1.4 K 至 500 K
在当今市场上的任何硅二极管中,具有最小尺寸和 最快热响应时间的裸片传感器
非磁性传感器
DT-621-HR 特点
温度范围:1.4 K 至 325 K*
无磁封装
用于表面安装的外露平面基板
镓铝砷温度传感器
TG-120-SD特点
从1.4K-500K单调温度响应
当温度低于50K时极好的灵敏度(dV/dT)
磁场感应误差小
结实、性能可靠的SD包装,适应反复的热循环,减少了传感器的自热效应
多种可选封装方式
TG-120-P特点
温度范围:1.4K-325K
4.2K时的重复性:±10mK
TG-120-PL 特点
温度范围:1.4K-325K
质量轻,热响应快
铂电阻温度传感器
温度范围:14 K-873 K (由型号定)
低到70K都符合IEC 751标准
高重复性:±5 mK @77K
温度在40 K以上时能用于低磁场下
用于电离辐射环境极好
SoftCalTM标定
Cernox温度传感器
低磁场误差
温度范围:100mK-420K (依据型号)
在低温时灵敏度高,全量程温度范围内灵敏度良好
极好的抗电离辐射
裸片低温传感器具有快速热响应时间:4.2K@1.5毫秒,77K@50毫秒
多个型号选择来适应你的温度测定需求
良好的稳定性
多种封装形式
锗电阻温度传感器
公认的二级标准温度计
高灵敏度,在4.2K或更低时对温度的控制可达亚mK
极好的重复性,在4.2K时优于±0.5mk@77K
用于0.05K到100K之间有多种型号
抗电离辐射
氧化钌温度传感器
RX-102A
RX-102A(在室温时是1000欧姆)用于低到50mK的低温环境中,并比RX-202A具有更好的互换性,在低于1K时磁场感应误差也较RX-102A要低。
RX-102B-CB
RX-102B-CB(在室温时1000欧姆)可用于低到10mK的温度华宁中(标定的温度传感器可低到20mK),在10mK到300K之间单调变化。独特的包装设计,在进行极低温最测量时,大化了热连接,最小化了热容量。RX-102BC不遵循标准曲线并且不建议使用于带磁场的低温环境中。
RX-202A
RX-202A(在室温时2000欧姆)较其它具有相似电阻和灵敏度的氧化钌温度传感器在磁场感应误差方面改进4倍。大多数氧化钌传感器在低于室温下都有一个最大温度限制,在这个温度下灵敏度从负到变到正。但是RX-202A的设计使之在0.05K到300K之间单调响应。
RX-103A
RX-103A(在室温时10000欧姆)具有独特电阻和温度响应曲线,兼具低磁场感应误差,在1.4K到40K之间的可互换性是不错的选择。
RX-102A主要特点
可互换的标准曲线
良好的抗辐射
可测温度低到50mK
低磁场感应误差
RX-102B主要特点
使用时可低到10mK;标定的传感器可低到20mK
在10mK-300K之间单调变化
RX-202A主要特点
可互换的标准曲线
良好的抗辐射
在50mK-300K之间是变化单调的
磁场感应误差较其他氧化钌传感器改进4倍
RX-103A主要特点
可互换的标准曲线
良好的抗辐射
在1.4K-40K之间的可互换性是不错的选择
低磁场感应误差
电容温度传感器
无磁场感应误差
在强磁场中具有mK温度控制的能力
从低温到室温电容和温度的变化单调
高可靠性温度传感器
15 年全材料可追溯性
适用于所有传感器的电阻和灵敏度数据
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