DT-670系列硅二极管相较于之前市场上销售的的硅二级管，其精度更高、温度范围更宽。DT-670遵循标准的电压与温度响应曲线，所以DT-670系列是可替换的，很多应用中都不需要进行单独的标定。SD封装的DT-670有四个误差等级的传感器可供选择，其中三种用于1.4K-500K的低温；另一种温度范围30K到室温，具有非常好的精度。DT-670温度计根据误差带不同可以分为七个等级。Bank E——只有DT670裸片有这个误差等级。 对于一些需要更高准确度的应用，DT-670-SD二极管也提供从1.4K—500K的全量程标定。 DT-670E裸片传感器提供小的物理尺寸和迅速的热响应。对于尺寸和热响应时间比较重要的应用来说这是非常重要的，比如焦平面阵列和用于蜂窝通讯的高温超导滤波器。
DT-670系列硅二极管相较于之前市场上销售的的硅二级管，其精度更高、温度范围更宽。DT-670遵循标准的电压与温度响应曲线，所以DT-670系列是可替换的，很多应用中都不需要进行单独的标定。SD封装的DT-670有四个误差等级的传感器可供选择，其中三种用于1.4K-500K的低温；另一种温度范围30K到室温，具有非常好的精度。DT-670温度计根据误差带不同可以分为七个等级。Bank E——只有DT670裸片有这个误差等级。
对于一些需要更高准确度的应用，DT-670-SD二极管也提供从1.4K—500K的全量程标定。
DT-670E裸片传感器提供小的物理尺寸和迅速的热响应。对于尺寸和热响应时间比较重要的应用来说这是非常重要的，比如焦平面阵列和用于蜂窝通讯的高温超导滤波器。
DT-670-SD特点
在宽使用温度范围1.4K-500K内，可提供好的精度
至今为止应用于30K-500K的误差小的硅二极管
坚固可靠的SD包装是为适应反复的热循环和小化传感器的自加热而设计的
遵循DT-670标准温度响应曲线
多种可选封装方式
DT-670E-BR特征
温度范围1.4K－500K
裸装传感器是现今市场上尺寸小热响应时间快的二极管传感器
无磁传感器
DT-621-HR 特征
温度范围：1.4K-325K*
非磁封装
裸露的基底用于表面安装
* 标定的低到1.4K，未标定的(曲线DT-670)低到20K
封装方式：DT-SD、CU/CU-HT、DI、BO、LR、CY、MT、ET、CO、DT-BR、DT-621-HR、DT-614-UN、温度探头
二极管测温
二极管测温基于以恒定电流（通常为 10 µA）偏置的 pn 结中正向压降的温度依赖性。由于电压信号相对较大（介于 0.1 V 和 6 V 之间），因此二极管易于使用，仪表也很简单。
典型 DT-670 二极管电压
典型 DT-670 二极管灵敏度
Lake Shore SD 封装— 业界坚固、多功能的封装
SD 封装采用直接传感器到蓝宝石底座安装、气密密封和钎焊 Kovar 引线，为业界坚固、多功能的传感器提供了佳的样品到芯片连接。经过精心设计，从引线流下的热量绕过芯片，它可以在 500 K 的温度下存活数千小时（取决于型号），并且与大多数超高真空应用兼容。它可以用铟焊接到样品上，而不会改变传感器校准。如果需要，还可提供不带 Kovar 引线的 SD 封装。
技术规格
标准曲线：DT-670.
推荐激励：10 μA ±0.1%
大翻转电压：40V
损毁大电流：连续1mA或脉冲100mA
推荐激励下的损耗：16 μW @ 4.2 K;10 μW @77 K; 5 μW @ 300 K
热响应时间：SD：典型 <10 ms @ 4.2K, 100 ms @77 K, 200 ms @ 305 K;BR: 1 ms @ 4.2 K,13 ms @ 77 K, 20ms @ 305 K
辐射下使用：推荐在低等级的辐射中使用，参考附录B
磁场下使用：在温度低于60K时，推荐可使用在磁场下。在磁场小于5T，温度低于60K时，磁场依赖性低。
重复性1：±10 mK @ 4.2 K
1 短期重复性数据是对传感器反复进行305K到4.2K的热冲击情况下得出的。
使用范围
| 下线 | 上限 | |
| SD、CU-HT 2、BR | 1.4K | 500K |
| CU、LR、CY、ET、MT、BO、HR | 1.4K | 420K |
温度响应数据表
| DT-670 | DT-621-HR | |||
| V（伏特） | dV/dT (mV/K) | V（伏特） | dV/dT (mV/K) | |
| 1.4K | 1.64 | -12.5 | — | — |
| 4.2K | 1.58 | -31.6 | 1.678 | -35 |
| 10K | 1.38 | -26.8 | — | — |
| 77K | 1.03 | -1.73 | 1.03 | -1.73 |
| 305K | 0.560 | -2.30 | 0.560 | -2.30 |
| 典型传感器精度 | |
| 1.4K | ±12mK |
| 4.2K | ±12mK |
| 10K | ±12mK |
| 77K | ±22mK |
| 300K | ±32mK |
| 500K | ±50mK |
| 到 305K | 到 500K | |
| 4.2K | ±10mK | ±40mK |
| 77K | ±40mK | ±100mK |
| 305K | ±25mK | ±50mK |
| 500K | — | ±150mK |
| 2K至100K | 100 K 至 305 K | 305 K 至 500 K | |
| Band A | ±0.25K | ±0.5K | ±0.5K |
| Band A1 | ±0.25K | 读数的±1.5% | 读数的±1.5% |
| Band B | ±0.5K | ±0.5K | 读数的±0.33% |
| Band B1 | ±0.5K | 读数的±1.5% | 读数的±1.5% |
| Band C | ±1K | ±1K | 读数的±0.50% |
| 30K 至 100K | 100 K 至 305 K | 305 K 至 500 K | |
| Band D | ±0.25K | ±0.50K | ±0.20% 温度 |
| 2K至100K | 100 K 至 500 K | |
| DT-670E-BR | ±1.5 K（典型值） | 典型温度的 ±1.5% |
| 20K 至 325K | |
| DT-621-HR | ±2.5 K 或 ±1.5% 温度，以较大者为准 |
| 封装底座平行于 B 区 | |||||
| 1T | 2T | 3T | 4T | 5T | |
| 4.2 | -200 | -300 | -350 | -400 | -500 |
| 20 | -10 | -20 | -25 | -30 | -40 |
| 40 | -4 | -6 | -8 | -10 | -12 |
| 60 | -0.5 | -1 | -2 | -3 | -3.5 |
| 80 | < 0.1 | -0.5 | -0.8 | -1.1 | -1.5 |
| 300 | <-0.1 | <-0.1 | <-0.1 | <-0.1 | <-0.1 |
| 封装底座垂直于 B 场 | |||||
| 1T | 2T | 3T | 4T | 5T | |
| 4.2 | -8 | -9 | -11 | -15 | -20 |
| 20 | -4 | -5 | -5 | -5 | -10 |
| 40 | -1.5 | -3 | -4 | -5 | -5.5 |
| 60 | -0.5 | -0.7 | -0.8 | -1 | -1.1 |
| 80 | -0.1 | -0.3 | -0.5 | -0.6 | -0.7 |
| 300 | < 0.1 | 0.2 | 0.5 | 0.6 | 0.6 |
物理规格
| 质量 | 导线类型 | 导线极性 | 传感器材料 | |
| DT-670-SD | 37 mg | 2个镀镍和金的科瓦铁镍钴合金- | 右边是阳线和边包在一起，导线朝向使用者 | 蓝宝石基底，铝体和盖子。镀钼/锰，顶盖镀镍和金。用金锡焊作为真空密封。 |
| DT-670E-BR（裸芯片） | 72.7 微克 | 无 | 阳极连接通过底片，负极连接垫在底片顶部 | 在接触片上有镀铝的硅片 |
| DT-621-HR | 23毫克 | 2个镀锡的铂带，60/40锡铅焊 | 右手边的阳线向下镀铂，导线朝向使用者 | 传感元件安装在铂片上，用2850环氧胶覆盖 |
DT-670温度响应曲线
曲线 DT-670 公差带
DT-670延伸的温度响应数据表
